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本文主要研究了造成组件CTM损失的有可能因素，重点分析了导致单晶组件和多晶组件CTM差异的原因。光学损失和B-O填充之间的差异要求了多晶组件的CTM损失要多于单晶组件，对于硼氧填充损失可以想要办法提高，但对于光学损失的差异，针对单晶没更佳的解决问题方法。　　随着光伏产业的较慢发展，使晶体硅太阳电池及其组件沦为研究的热点，以构建太阳电池组件效益的最大化。

电池PCB为组件不仅可以使电池的电压、电流和输出功率获得确保，而且还可以维护电池不不受环境伤害和机械受损。晶体硅太阳电池经过PCB为组件后，组件的功率（实际功率）与所有电池片的功率之和（理论功率）的差值，称作组件PCB功率损失，其计算公式为：组件功率损失=（理论功率-实际功率）/理论功率。　　一般来说我们用于组件输出功率与电池片功率总和的百分比（CellToModule全称CTM值）回应组件功率损失的程度，CTM值越高回应组件PCB功率损失的程度就越小。

如果CTM值较低，组件的输出功率有可能约将近预期的拒绝，遭客户的滋扰，最后导致经济效益的损失。与此相反，如果可以提升CTM值，组件的输出功率的减少不会提升公司组件产品的收益，已超过降低生产成本的目的。

在组件产品的生产过程中找到单晶组件和多晶组件的CTM差异较为大。在组件生产工序完全一致的情况下，单晶组件CTM损失要低于多晶组件，本文主要针对单晶和多晶组件CTM的差异性展开研究，说明单多晶组件CTM有所不同的内在原因。

　　1、组件CTM影响因素　　影响CTM的因素很多，还包括：　　A.光学损耗：制绒绒面有所不同引发的光学光线、玻璃和EVA等引发的光线损失。　　B.电阻损耗，电池片本身的串联电阻损耗、焊带，汇流条本身的电阻引发的损耗，焊带不当造成的认识电阻、接线盒的电阻。　　C.有所不同电流的电池片串联时引发的电流失配损失，由于构成组件的各电池片仅次于工作点电流不给定导致的失配损失（分档，陈旧片混进）。

　　D.热损耗，组件温度增高不会引发的输出功率上升。　　E.B-O填充引发的电池片效率波动，与本征衰落损失。

　　F.组件生产过程中产生隐裂或碎片。　　影响单晶和多晶组件CTM差异的因素主要还包括2个方面，光学损耗和硼氧填充损耗。光学损耗产生的差异主要为单多晶电池产品的制绒工艺是有所不同的，反射率的差异性较为大；B-O填充损耗的差异为单多晶原料片生长工艺有所不同，单晶原料过程中引进的硼氧对要少于多晶原料。

本文设计实验主要针对以上两点展开实验设计，分析导致单多晶组件CTM差异性的原因。　　2、实验设计　　2.1、实验样品　　样品收集自晶澳电池产线，所用硅片厚度为200m，电阻率为1-3.cm的单晶和多晶电池片各20片，并且20片单晶电池片为同一个功率档位，20片多晶电池片为同一个功率档位。

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